希望通过我们总结的这些考点,帮助广大考生在最后的这段关键时间里,梳理好知识体系,准确把握考点,直击命题要害,做好最终的考前冲刺。
一、(15分)由同种元素原子构成的二维晶体结构如图所示。
1.试写出正格子原基矢和倒格子基矢表达式
2.画出第一布里渊区并给出其面积表达式
二、(15)已知一块半导体材料由10000个原胞构成,每个原胞包含5个原子,请回答:
1.该材料中总的格波数是多少?
2.该材料中有多少支格波?其中声学波和光学波各为多少支?
3.光学波中有多少支纵波和横波?
三、(15分)
1.画出只含有一杂质的半导体的费米能级随温度变化关系的曲线示意图,并在图中标出相应的区域范围。
2.(画出理想PN结在平衡以及反偏时的能带图)试画出两块掺锌的密度分别为N1和N2,且N1>N2> 的砷化镓材料接触时的热平衡能带图,并标出你认为重要的参数。
五、(15)两块P型硅材料,在某一温度下T时,第一块与第二块的空穴浓度之比为 P1/P2=e(e是自然对数的底)
1.如果第一块材料的费米能级在价带顶之上约为3 处,试求出第二块材料中费米能级的位置
2.求出两块材料中电子密度之比
3.画出这两块材料接触时的能带图并给出接触电势差。
六:(15)利用泊松方程推导PN结的空间电荷区宽度
七、(15分)由相同原子组成的二维平面晶体图下图所示,结构类似于蜂巢的六角形原子组成,请回答
1、画出布拉伐格子和到倒格子,并且在任选的直角坐标系写出原基矢和倒基矢表达式。
2、求出原胞个倒原胞的面积。
式中,a为晶格常数。试求:
1.能带的宽度;
2.能带底部和顶部电子的有效质量。
九、(10分)
(1)试画出金属-n型半导体接触时,Wm>Ws,Ws>Wm两种情况下的能带图。
(2)试画出理想NnP型双异质结的热平衡能带图。
五、(15分)
一个很长的n型半导体样品,其中心附近长度为2a的范围内被光照射。假定光均匀的穿透样品,电子—空穴对的产生率为g,试求出小注入情况下样品中稳定少子的分布。
责任编辑:小草